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NP110N03PUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
3
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
2.5
V GS = 10 V
I D = 55 A
V GS = 0 V
f = 1 MHz
2
1.5
Pulsed
10000
C iss
C oss
1
0.5
0
1000
100
C rss
-75
-25
25
75
125
175
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - °C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
50
10
t r
45
40
V DD = 24 V
15 V
9
8
100
t d(off)
35
7
t d(on)
t f
30
25
V GS
6
5
10
V DD = 15 V
V GS = 10 V
R G = 0 ?
20
15
10
5
V DS
I D = 110 A
4
3
2
1
1
0
0
0.1
1
10
100
1000
0
50
100
150
200
250
300
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
100
10
1
V GS = 10 V
0V
0.1
0.01
Pulsed
10
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
1000
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D16851EJ1V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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